铠侠出样UFS 41嵌入：《、式闪存设》备

新款UFS4.1闪存采用了铠侠BiCS8FLASH3D闪存芯片，结合开创性的CBA技术，集成在JEDEC标准封装中。

铠侠宣布开始出样UFS4.1闪存，提供了256GB、512GB和1TB容量，支持主机启动的碎片整理和写入缓冲区大小调整等先进特性。新产品专为满足下一代移动应用的需求而设计，包括具备设备内置AI的高级智能手机，采用了小型BGA封装，可提供更高的性能和更高的能效。

新款UFS4.1闪存采用了铠侠BiCS8FLASH3D闪存芯片，结合开创性的CBA（CMOSdirectlyBondedtoArray）技术，提供了突破性的性能、效率和容量，集成在JEDEC标准封装中。

主要功能包括：

提供了256GB、512GB和1TB容量可选。

相比上一代产品，512GB和1TB的随机写入性能提升了约30%，随机读取性能分别提升了约45%和35%。

相比上一代产品，在能效方面512GB和1TB的读取速度提升了约15%，读取速度提升了约20%。

主机启动碎片整理支持延迟垃圾收集，以便在关键时刻实现不间断的快速性能。

WriteBooster缓冲区大小调整为最佳性能，提供了更好的灵活性。

支持UFSVer.4.1标准。

与上一代产品相比，1TB型号的封装高度降低。

使用铠侠BiCS8FLASH3D闪存芯片。

铠侠表示，新款UFS4.1闪存融合了速度和低功耗，旨在增强用户体验，即实现更快的下载和更强的性能。

SK海力士的UFS4.1

今年5月，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1TbTLC4DNAND闪存的移动端解决方案产品UFS4.1。该产品具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化；产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机。

新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，成功产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升了15%与40%，达到现存UFS4.1产品中全球领先水平。

该产品提供512GB（千兆字节）和1TB（太字节）两种容量规格。公司计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。

SK海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。依托这款对AI工作负载优化的UFS4.1产品，公司将进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。”

存储新标准UFS4.1

今年年初，JEDEC固态技术协会推出通用闪存标准UFS4.1（JESD220G），同时发布了配套的JESD223FUFS主机控制器接口（UFSHCI）4.1标准更新。

据介绍，UFS4.1采用MIPIAlliance的M-PHY5.0和UniPro2.0规范，实现UFS接口带宽翻倍，理论读写速度最高可达约4.2GB/s。UFS4.1专为需要高性能和低功耗的移动应用和计算系统而开发，与早期版本的标准相比，不仅可以提供更快的数据访问速度和更高的性能，同时保持了与UFS4.0的硬件兼容性。

UFS4.1和UFSHCI4.1相对于先前版本进行了多方面的改进，例如FS4.1引入了更高效的内存管理和新功能来提高系统吞吐量，并通过使用RPMB认证以防止未经授权的数据访问；此外，UFS4.1还提高了存储逻辑单元的精度，为QLCNAND的实现奠定了基础。

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