如今手机的存储技术日新月异，特别是这几年闪存技术提升十分明显，包括传输性能以及容量这两个对于消费者最重要的性能参数。作为行业领先的存储制造商，铠侠就宣布正式出样UFS4.1嵌入式闪存，为下一代移动设备做准备，相比较如今的UFS闪存，UFS4.1闪存在随机性能上有着巨大的提升，从而让手机等日常应用更加流畅。

根据铠侠的说法，铠侠UFS4.1闪存采用了铠侠最新的BiCS8FLASH3D闪存芯片，拥有256GB、512GB以及1TB三种规格，与上一代的产品相比，随机写入性能提升不少，幅度大约有30%，而随机读取性能更是有着巨大的进步，达到了45%左右。相比较随机读取，顺序读写性能提升幅度就没有这么大了，幅度大约是20%。

同时铠侠UFS4.1闪存还支持延迟垃圾收集，让设备使用起来更加流畅，另外铠侠也表示UFS4.1闪存能够兼顾高速传输以及低功耗，还能让手机的续航时间有着一定的提升，还可以减少手机厂商对于散热器的布局难度。

既然现在铠侠UFS4.1闪存已经顺利出样，预计今年下半年旗舰手机很有可能就将使用这颗闪存芯片，从而在存储性能上更上一层楼，当然也不乏会有手机厂商大书特书自家的存储芯片，来吸引更多消费者前去购买。