中国科学家在研究 下一代EUV光刻机 (采用)67nm：波！长光源

在芯片制造中，光刻机是最核心的设备。

而EUV则是制造7nm以下芯片必不可少的设备，且全球只有ASML一家能够制造，美国还不允许它卖给中国企业。

所以制造出国产EUV就相当重要了，因为如果没有国产EUV，我们的芯片工艺要进入7nm以下，几乎不太可能。

也许能够多重曝光，用浸润式光刻机，也能够制造出7nm以下芯片，但多重曝光会显著降低良率，提高成本，实际上是无法大规模量产商业化的。

目前ASML的EUV光刻机，其采用的方式是LPP路线，即用高能激光器轰击锡滴产生等离子体，释放出13.5nm波长的光源，也就是极紫外线。

在这一条路线上，ASML绑定了蔡司、Cymer等等核心企业，这些核心企业是全球唯一，无可替代，可以说ASML断了其它很多企业的EUV之路。

所以说，如果我们要研发EUV光刻机，更好的办法是弯道超车，或者换道超车。

而近日，有消息指出，目前国内的科学家们其实发现，EUV的下一代，可能是采用更高级的光源，比如采用6.7nm或4.4nm的波长光线。

在光刻中，如果光线波长越小，那么其分辨率是越高，越是能够制造出更先进的芯片的。

科学家们认为，如果能够采用6.7nm和4.4nm的光线，那么其精度比当前13.5nm波长高很多，能够制造的芯片工艺也会先进很多。

目前中国科学家已经在尝试用钆代替锡为材料，激发出6.7nm波长的光线来。而这种光刻机的透镜，则采用镧和硼。

这样我们就能够绕开ASML设的坎，绕开蔡司、Cymer等等核心企业，走出一条属于中国的光刻机之路来。

不过，困难也有很多，比如波长较短时，反射率较差，要收集这些光线，相当困难。另外波长更短，能量分布在更少的光子上，出错的几率也会增加。

但不可否认的是，如果这一切真的实现了，那么国产光刻机，将跳过EUV,进入更高一个层次，那么卡住我们的光刻机，将再也不是问题了，反而全球的芯片厂，都要找我们买光刻机了。

当然，技术路线从理论到商用，中间会有一个漫长的过程，大家要有耐心一点，同时最终能不能商用落地，也不一定，但必须要不断的研究，才有可能最终商用，所以大家多些支持鼓励，少些嘲讽，你觉得呢？

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